[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310008686.4 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN103199103B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 五十岚信行;鬼泽岳;西藤哲史 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 酆迅,张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。第一氮化物半导体层包含Ga。第一氮化物半导体层例如为GaN层、AlGaN层或AlInGaN层。然后，氧化铝层在相对于第一氮化物半导体层的界面区域中具有四配位Al原子和六配位Al原子，该四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，该六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围。界面区域是离相对于第一氮化物半导体层的界面例如小于等于1.5nm的区域。然后，在该界面区域中，四配位Al原子基于Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：含Ga的第一氮化物半导体层；以及氧化铝层，与所述第一氮化物半导体层相接触地形成，其中所述氧化铝层在界面区域中具有作为Al原子的四配位Al原子和六配位Al原子，所述四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，所述六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围，所述界面区域定位在离相对于所述第一氮化物半导体层的界面1.5nm的区域中；并且所述四配位Al原子基于所述Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。
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