[发明专利]N型MWT太阳能电池结构及其制造工艺有效
申请号: | 201310008854.X | 申请日: | 2013-01-10 |
公开(公告)号: | CN103035771A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 盛健 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种N型MWT太阳能电池结构,MWT太阳能电池的背面采用铝结和N型硅片形成P—N结。这种电池结构的工艺步骤为:原硅片预处理:对硅片进行表面减反的绒面制备,完成后形成N型带绒面硅片基底;利用三氯氧磷对硅片进行扩散,形成N+区,完成扩散后将磷硅玻璃去除;再在扩散后的硅片N+正表面利用化学气相沉积的方式沉积SiNx正表面减反钝化层,形成正表面减反钝化膜;选用紫外激光器,在完成SiNx沉积后的硅片表面打通孔。背面通孔浆料印刷:对准通孔位置印刷通孔银浆;背面铝浆印刷:按指定图形进行铝浆印刷,印刷后铝浆与通孔银浆互不接触;正面栅线印刷:按指定的图形进行正面银浆印刷,印刷后需和通孔银浆形成电学接触;高温金属共烧结:用于形成电极和硅的良好接触,以及形成P+型掺杂区,与衬底N型硅片形成P—N结。本发明能简化工艺,降低电池电极的接触电阻,同时降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | mwt 太阳能电池 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种N型MWT太阳能电池结构,其特征在于:MWT太阳能电池的背面采用铝结和N型硅片形成P—N结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的