[发明专利]一种背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，包括对硅片磷扩散形成PN结、去除硅片边缘和背结、对硅片正面镀减反膜；其特征在于，还包括如下步骤：（1）对硅片背表面镀钝化层；（2）在硅片背表面印刷两种浆料，一种为实现背面局部欧姆接触的浆料，一种为实现背面电场浆料；（3）丝网印刷硅片正面电极、背面电极、背面电场，烧结形成欧姆接触。本发明通过在硅片背表面印刷两种浆料，设备稳定，维护方便，价格低，可以大规模在工业化生产中应用。这种方法，相比于光刻法和激光烧结方法，腐蚀浆料和激光去除介质层的方法，可以节省时间和成本，整个生产过程的工序流程更短。

主权项

一种背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法，包括对硅片磷扩散形成PN结、去除硅片边缘和背结、对硅片正面镀减反膜；其特征在于，还包括如下步骤：（1）对硅片背表面镀钝化层；（2）在硅片背表面印刷两种浆料，一种为实现背面局部欧姆接触的穿透浆料，一种为实现背面电场的背面电场浆料；（3）丝网印刷硅片正面电极、背面电极、背面电场，烧结形成欧姆接触。