[发明专利]磁阻存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201310009261.5 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103928608B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李海艇;黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁阻存储器的形成方法，包括提供半导体衬底，在所述衬底上形成有金属间介质层；在所述金属间介质层中形成沟槽；形成衬垫材料层、位于所述衬垫材料层上的布线层，覆盖所述金属间介质层、填充所述沟槽；去除高出所述金属间介质层上的衬垫材料层的布线层，剩余沟槽中的布线层，为布线；形成覆盖层，覆盖所述布线和沟槽侧壁的衬垫材料层；去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层，剩余的衬垫材料层为衬垫层；去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层后，在所述布线上形成磁性隧道结。在本发明中，覆盖层覆盖沟槽侧壁的衬垫材料层，则可以形成完整的衬垫层。进一步地，衬垫层可以更好地增强作用于磁性隧道结的电流磁场的磁场强度，显著提升磁阻存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述衬底上形成有金属间介质层；在所述金属间介质层中形成沟槽；形成衬垫材料层、位于所述衬垫材料层上的布线层，覆盖所述金属间介质层、填充所述沟槽；去除高出所述金属间介质层上的衬垫材料层的布线层，剩余沟槽中的布线层，为布线；形成覆盖层，覆盖所述布线和沟槽侧壁的衬垫材料层，以及紧邻所述沟槽两侧的金属间介质层上的部分衬垫材料层；去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层，剩余的衬垫材料层为衬垫层；去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层后，在所述布线上形成磁性隧道结。
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