[发明专利]用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法

摘要

本发明的一些实施例涉及用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法。在形成凸起源极和漏极区域之后，在通过去除绝缘体上半导体(SOI)衬底中的浅沟槽隔离结构和掩埋绝缘体层的下层部分而形成的凹陷区域内沉积保形电介质材料衬垫。随后沉积和平坦化与保形电介质材料衬垫的材料不同的电介质材料以形成平坦化的电介质材料层。相对于保形电介质材料衬垫选择性凹陷平坦化的电介质材料层以形成填充凹陷区域的电介质填充部分。通过各向异性蚀刻来去除保形电介质材料衬垫的水平部分，而保形电介质材料衬垫的剩余部分形成外栅极间隔物。沉积至少一个接触级电介质层。可以在接触通孔内形成与操纵衬底电隔离的接触过孔结构。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包括：在绝缘体上半导体(SOI)衬底中的顶部半导体层上形成栅极堆叠和横向包围所述栅极堆叠的栅极间隔物；在形成所述栅极间隔物之后对所述SOI衬底执行至少一个加工步骤，其中经过所述顶部半导体层的部分并且至少在所述SOI衬底中的掩埋绝缘体层的上部分中形成具有在所述顶部半导体层的最低表面的水平面以下的底表面的至少一个凹陷区域；在所述至少一个凹陷区域的侧壁和底表面上以及在所述栅极间隔物和所述栅极堆叠之上形成电介质材料衬垫；并且形成至少一个电介质填充部分，所述至少一个电介质填充部分填充所述凹陷区域至至少在所述顶部半导体层的所述最低表面的所述水平面上方。