[发明专利]功率集成电路器件

摘要

本发明提供了一种功率集成电路器件，其包括联接至抽头晶体管的电阻，所述抽头晶体管包括如下配置的JFET：其中当外部电压小于JFET的夹断电压时，提供在JFET的终端的电压与外部电压基本成比例。当外部电压大于夹断电压时，在终端处提供的电压是基本恒定的。当外部电压大于夹断电压时，电阻的一端基本处于外部电压下。当外部电压为负时，所述电阻限制了注入衬底的电流。所要强调的是，本摘要仅遵从于要求提供摘要的规则而提供，以允许检索者或其他读者快速确定技术公开内容的主题。

主权项

一种功率集成电路器件，包括：第一导电类型的衬底；布置在所述衬底中的第二导电类型的阱区，该阱区具有第一、第二和第三区域，所述第一区域横向邻近所述第二区域，所述第二区域横向邻近所述第三区域；结型场效应晶体管，布置在所述阱区的所述第一区域中，所述结型场效应晶体管包括：第二导电类型的第一和第二区；以及，第一导电类型的一个或多个第一埋区，所述一个或多个第一埋区限定了多个导电沟道，所述第一区被布置在所述导电沟道的第一端，所述第二区被布置在所述导电沟道的相对端；介电层，其形成在所述阱区的至少所述第二区域以上；电阻材料层，其形成在位于所述第二区域正上方的介电层以上，所述电阻材料层具有第一端和第二端；第一电极和第二电极，其分别电连接至电阻材料层的第一和第二端，所述第二电极还被电连接至所述第二区；第三电极，其电连接至所述第一区；第四电极，其电连接至所述衬底以及所述一个或多个第一埋区，其中当所述第一和第四电极之间的电压差小于所述结型场效应晶体管的夹断电压时，提供在所述第三电极上的电压与该电压差基本成比例，当该电压差大于所述结型场效应晶体管的夹断电压时，提供在所述第三电极上的电压是基本恒定的，当该电压差大于所述夹断电压时，第二电极上的电势基本等于该电压差。