[发明专利]新型笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土发光材料有效

专利信息
申请号: 201310010313.0 申请日: 2013-01-11
公开(公告)号: CN103012464A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 李焕荣;陈晓凡;张盼宁 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: C07F7/21 分类号: C07F7/21;C09K11/06
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300401 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明为一种笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土离子发光材料。本发明以1,3,5,7,9,11,14-七异丁基三环[7.3.3.15,11]七硅氧烷-内-3,7,14-三醇为基体,α—噻吩甲酰基三氟丙酮硅烷化衍生物、二联吡啶硅烷化衍生物以及三联吡啶硅烷化衍生物为补角体,以补角的形式与基体反应,形成完整的新型笼型低聚倍半硅氧烷。再将其新型笼型低聚倍半硅氧烷与稀土元素结合,形成笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)/稀土离子发光材料。本发明所得稀土化合物/低聚倍半硅氧烷材料发光色彩丰富,色纯度高,荧光寿命长(0.5-1.5ms),量子效率高(20),热稳定性(350℃)和光稳定性强,是一种很有价值的光学材料,可以应用在显示显像、新光源、X射线增光屏等领域。
搜索关键词: 新型 笼型低聚倍半硅氧烷 及其 稀土 发光 材料
【主权项】:
1.一种新型笼型低聚倍半硅氧烷(POSS),其特征为下列物质之一:(1),以TTASi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS),其结构式为:或者,(2)以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS),其结构式为:或者,(3),以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS),其结构式为:其中,上面结构式中
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