[发明专利]一种合成孔径雷达成像处理转置存储方法和数据访问方法无效
| 申请号： | 201310011564.0 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103135096A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 谢宜壮;刘小宁;于文月;陈禾;曾涛;龙腾 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | G01S7/02 | 分类号： | G01S7/02 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;高燕燕 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种合成孔径雷达成像处理过程中的高效转置存储方法，将合成孔径雷达二维数据矩阵划分成多个大小相等的子矩阵块，每个子矩阵块中的数据点数正好与DDR3 SDRAM一行所能存放的数据点数相等；对子矩阵块进行逐行编号，将第一个子矩阵块的数据逐行地映射至DDR3 SDRAM的Bank 0的第1行里面；将第两个子矩阵块的数据按照相同方法逐行地映射至DDR3 SDRAM的Bank 1的第1行，以此类推，映射完最后一个Bank第1行，再转向Bank 0的第2行，直至所有子矩阵块的数据映射完毕；使用本发明能够解决合成孔径雷达成像处理中转置存储效率过低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成孔径雷达 成像 处理 存储 方法 数据 访问 | ||
【主权项】：
一种合成孔径雷达成像处理过程中的高效转置存储方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、根据合成孔径雷达二维数据矩阵大小和数据位宽，选取容量和数据位宽匹配的DDR3 SDRAM；步骤二、将合成孔径雷达二维数据矩阵划分成多个大小相等的子矩阵块，每个子矩阵块中的数据点数正好与DDR3 SDRAM一行所能存放的数据点数相等；步骤三、对子矩阵块进行逐行编号，将第1个子矩阵块的数据逐行地映射至DDR3SDRAM的Bank 0的第1行里面；将第2个子矩阵块的数据按照相同方法逐行地映射至DDR3SDRAM的Bank 1的第1行，以此类推，映射完Bank K‑1的第1行，再转向Bank 0的第2行，直至所有子矩阵块的数据映射完毕；K为DDR3 SDRAM中Bank的数量。
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