[发明专利]硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310011688.9 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN103058710A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 程先华;疏达;李鹏飞;王传英;程海正;华晨 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C04B41/50 | 分类号: | C04B41/50 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中;牛山 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法;所述方法包括以下步骤:步骤一,将处理后的硅片清洗,烘干后,加入Piranha溶液中浸泡;步骤二,取出Piranha溶液中的硅片,清洗,烘干,加入硅烷溶液中进行自组装反应,得产物A;步骤三,取出产物A,清洗,烘干,得硅基表面带有氨基硅烷薄膜硅片;步骤四,将步骤三的产物放入经羧基化处理的氧化石墨烯溶液中,进行反应,得产物B;步骤五,取出产物B,清洗,烘干,保温,即得最终产物硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜。本发明制得的产品摩擦系数为0.18~0.22,磨损寿命大于2400秒,本发明工艺简单,成本低,为微机电系统中硅基零件的表面处理提供了方便。 | ||
搜索关键词: | 表面 羧基 氧化 石墨 组装 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤一,将处理后的硅片清洗,烘干后,加入Piranha溶液中浸泡;步骤二,取出Piranha溶液中的硅片,清洗,烘干,加入硅烷溶液中进行自组装反应,得产物A;步骤三,取出产物A,清洗,保温,得硅基表面带有氨基硅烷薄膜硅片;步骤四,将步骤三的产物放入氧化石墨烯溶液中,进行反应,得产物B;步骤五,取出产物B,清洗,烘干,保温,即得最终产物硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜。
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