[发明专利]一种解决晶圆破片的方法无效
| 申请号： | 201310011955.2 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103094098A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李平 | 申请（专利权）人： | 陆伟 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 200124 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种解决晶圆破片的方法，包括以下步骤：步骤一，将器件晶圆与载片进行键合，键合后器件晶圆外延层处于载片和器件晶圆体衬底之间；步骤二，对器件晶圆背面研磨，减薄器件晶圆体衬底的厚度；步骤三，对器件晶圆进行退火；步骤四，对器件晶圆进行第一次湿法蚀刻，再次减薄器件晶圆体衬底的厚度；步骤五，对器件晶圆进行第二次湿法蚀刻，刻蚀掉剩余器件晶圆体衬底；步骤六，对器件晶圆进行第三次湿法蚀刻，将器件晶圆减薄至要求厚度。本发明的有益效果是：在对晶圆背面进行研磨后对其增加一步退火处理，能有效地减少晶圆减薄过程中产生的内应力，减少破片几率，增加成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 破片 方法 | ||
【主权项】：
一种解决晶圆破片的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将器件晶圆与载片进行键合，键合后的器件晶圆包括载片、器件晶圆外延层和器件晶圆体衬底，所述的器件晶圆外延层处于载片和器件晶圆体衬底之间；步骤二，对器件晶圆背面研磨，减薄器件晶圆体衬底的厚度；步骤三，对器件晶圆进行退火；步骤四，对器件晶圆进行第一次湿法蚀刻，再次减薄器件晶圆体衬底的厚度；步骤五，对器件晶圆进行第二次湿法蚀刻，刻蚀掉剩余器件晶圆体衬底；步骤六，对器件晶圆进行第三次湿法蚀刻，将器件晶圆减薄至要求厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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