[发明专利]利用氮气通过反应溅射锌靶形成的薄膜半导体材料在审
| 申请号： | 201310012850.9 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103147039A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 彦·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大致包含一种半导体膜及一种用来沉积该半导体膜的反应溅射工艺。溅射靶可包含纯锌，也就是纯度为99.995%原子百分比或更高纯度的锌，锌可掺杂有铝(约1%原子百分比至约20%原子百分比)或其它掺杂金属。可利用引入氮气和氧气到腔室内来反应溅射该锌靶。氮气的量可明显超过氧气和氩气的量。可依据在没有含氮气体时沉积所测得的膜结构的转变点、膜的透射率、直流(DC)电压变化或膜传导性，来决定氧气的量。反应溅射可在室温至高达几百摄氏度的温度范围下进行。沉积后，可将半导体膜退火以进一步提高膜的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氮气 通过 反应 溅射 形成 薄膜 半导体材料 | ||
【主权项】：
一种通过反应溅射形成的非晶半导体膜，所述半导体膜包含锌、氧和氮的三元化合物。
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