[发明专利]凹入式晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201310012958.8 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103871892B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 林永发 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种凹入式晶体管器件的制造方法，其特征包含有提供一半导体基底；于所述半导体基底上形成一外延层；于所述外延层上形成一硬掩膜层，所述硬掩膜层包含至少一开口；经由所述硬掩膜层的开口刻蚀所述外延层，以形成一栅极沟槽；于所述栅极沟槽的表面形成一栅极氧化层；于所述栅极沟槽内形成一凹入式栅极；于所述凹入式栅极上形成一上盖层；去除所述硬掩膜层；于所述外延层中形成一离子阱；于所述离子阱中形成一源极掺杂区；于所述上盖层及所述凹入式栅极的侧壁上形成一隔离壁；以及以所述上盖层及所述隔离壁为刻蚀掩膜自对准刻蚀所述外延层，以形成一接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 凹入式 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种凹入式晶体管器件的制造方法，其特征在于，包含：提供一半导体基底；于所述半导体基底上形成一外延层；于所述外延层上形成一硬掩膜层，所述硬掩膜层包含有至少一开口；经由所述硬掩膜层的开口刻蚀所述外延层，以形成一栅极沟槽；于所述栅极沟槽的表面形成一栅极氧化层；于所述栅极沟槽内形成一凹入式栅极，其中所述凹入式栅极的顶面高于所述外延层的顶面；于所述凹入式栅极上形成一上盖层；在形成所述上盖层后，去除所述硬掩膜层以露出所述外延层的顶面；在去除所述硬掩膜层后，进行一氧化工艺以至少在所述外延层的顶面上形成一硅氧层；在所述外延层的顶面上形成所述硅氧层后，于所述外延层中形成一离子阱；于所述离子阱中形成一源极掺杂区；于所述上盖层及所述凹入式栅极的侧壁上形成一隔离壁；以及以所述上盖层及所述隔离壁为刻蚀掩膜，自对准刻蚀所述外延层，以形成一接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
