[发明专利]介电组合物和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子部件

摘要

本发明提供了一种介电组合物和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子部件，所述介电组合物包括具有由ABO3表示的钙钛矿结构的介电颗粒，其中当沿从所述介电颗粒的中心到颗粒边界的方向上画出虚线时，从介电颗粒的中心开始与介电颗粒的0.75%至0.95%相对应的区域中稀土元素含量基于以100at%的B位离子为0.5at%至2.5at%，因此使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子部件可具有优异的可靠性并保证高介电常数。

主权项

一种介电组合物，所述介电组合物包括具有由ABO3表示的钙钛矿结构的介电颗粒，其中，当沿从所述介电颗粒的中心到颗粒边界的方向上画出虚线时，基于100at％的B位离子，介电颗粒的中心中的稀土元素含量为0.05至2.0at％，从介电颗粒的中心开始与所述介电颗粒的75％至95％相对应的区域中的稀土元素含量为0.5at％至2.5at％，A包括从钡(Ba)、锶(Sr)、铅(Pb)、以及钙(Ca)组成的组中选择的一种或多种，B包括从钛(Ti)和锆(Zr)组成的组中选择的一种或多种，以及从所述介电颗粒的中心开始与所述介电颗粒的75％至95％相对应的整个区域中的稀土元素含量为所述介电颗粒的中心中的稀土元素含量的0.05倍至2.0倍。