[发明专利]太阳能电池结构、光生伏打模块及对应的工艺有效
申请号: | 201310013171.3 | 申请日: | 2008-02-15 |
公开(公告)号: | CN103077978A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 亨利·希斯梅尔 | 申请(专利权)人: | 纳克公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L27/142;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 光生伏打模块可包含太阳能电池,所述太阳能电池沿所述电池的后侧具有相反极性的掺杂域。所述掺杂域可位于穿过介电钝化层的开口内。在一些实施例中,所述太阳能电池由薄硅箔形成。掺杂域可通过沿半导电片的后表面印刷墨水来形成。掺杂剂墨水可包含具有所要掺杂剂的纳米粒子。光生伏打模块可形成有多个具有不同大小的结构的太阳能电池以改进模块性能。所述大小可基于半导体的所估计性质来动态地确定,以使得所述模块中的所述电池的电流输出彼此更相似。所述模块相对于具有不产生匹配电流的相似的相等大小电池的模块来说可产生较高的功率。本发明描述适当的动态处理方法,其包括根据电池设计中的动态调整来提供处理调整的处理步骤。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 结构 光生伏打 模块 对应 工艺 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其包含半导体层,所述半导体层具有:前表面、从所述前表面延伸并进入所述半导体层的第一掺杂域、后表面、在至少一部分所述后表面之上的反射涂层、沿着至少一部分所述后表面的第二掺杂域、第一电互连件以及第二电互连件;其中从所述前表面延伸的所述第一掺杂域的部分包含掺杂的硅、掺杂的锗或合金或其组合;以及其中所述第一电互连件与所述第一掺杂域接触且所述第二电互连件与所述第二掺杂域接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的