[发明专利]电阻式存储器装置有效

专利信息
申请号: 201310013602.6 申请日: 2013-01-15
公开(公告)号: CN103093810A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 林志和;李思翰;林文斌;许世玄 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种电阻式存储器装置,包括存储器阵列、读取电路、写回逻辑电路以及写回电路。读取电路读取一被选择的存储器单元内所存储的数据,并产生第一控制信号。写回逻辑电路根据第一控制信号与第二控制信号产生写回控制信号。写回电路根据写回控制信号以及一写回电压对被选择的存储器单元执行写回操作,使得被选择的存储器单元的一电阻状态由一低电阻状态转换为一高电阻状态,并且根据被选择的存储器单元的电阻状态产生第二控制信号。
搜索关键词: 电阻 存储器 装置
【主权项】:
一种电阻式存储器装置,包括:存储器阵列,包括多个存储器单元,其中各存储器单元包括至少一非易失性存储器元件;读取电路,耦接至选择位线与选择字线的其中一个,其中该选择位线与该选择字线电性连接至所述存储器单元中被选择的存储器单元,并且该读取电路读取该被选择的存储器单元内所存储的数据,并根据该数据产生第一控制信号;写回电路,耦接至该写回逻辑电路,用以根据该写回控制信号以及写回电压对该被选择的存储器单元执行写回操作,使得该被选择的存储器单元的电阻状态由低电阻状态转换为高电阻状态,并且根据该被选择的存储器单元的该电阻状态产生第二控制信号;以及写回逻辑电路,分别耦接该读取电路与该写回电路,并且根据该第一控制信号与该第二控制信号产生写回控制信号。
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