[发明专利]低功耗电平位移电路

摘要

本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有电平位移电路功耗较高的问题，提供了一种低功耗电平位移电路，其技术方案可概括为：低功耗电平位移电路，由工作电源、输入信号一、输入信号二、输出信号一、输出信号二、地线、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、电阻一、电阻二、电容一及电容二组成。本发明的有益效果是，能够遏制贯通电流，降低额外功耗，适用于电平位移电路。

主权项

低功耗电平位移电路，包括工作电源、输入信号一、输入信号二、输出信号一、输出信号二及地线，其特征在于，还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、电阻一、电阻二、电容一及电容二，所述第一PMOS管的源极与工作电源连接，第二PMOS管的源极与工作电源连接，第一PMOS管的栅极与输出信号一连接，第二PMOS管的栅极与输出信号二连接，第一PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极连接，第二PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接，第三PMOS管的栅极与电阻一的一端连接，并与电容一的一端连接，电阻一的另一端与输入信号二连接，第四PMOS管的栅极与电阻二的一端连接，并与电容二的一端连接，电阻二的另一端与输入信号一连接，第三PMOS管的漏极与输出信号二连接，第四PMOS管的漏极与输出信号一连接，第一NMOS管的栅极与电容一的另一端连接，并与输入信号一连接，第二NMOS管的栅极与电容二的另一端连接，并与输入信号二连接，第一NMOS管的源极与地线连接，第二NMOS管的源极与地线连接，第一NMOS管的漏极与输出信号二连接，第二NMOS管的漏极与输出信号一连接。