[发明专利]一种超晶格波导半导体激光器结构

摘要

本发明属于光电子技术领域，是一种超晶格波导半导体激光器结构，从下到上依次包括:N型砷化镓衬底，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；N型砷化镓缓冲层，主要用以调节晶格适配度；N型下限制层，为铟镓砷磷四元化合物材料，用来限制光场向下的泄露；N型下波导层，为铟镓砷磷四元化合物材料，用来增加对光场模式的限制；量子阱层，该有源区材料为铟镓砷单量子阱；P型上超晶格波导层，为铝镓砷材料，用于调制波导的折射率；P型上波导层，为铝镓砷材料，用来增加对光场模式的限制；P型上限制层，为铝镓砷材料，用来限制光场向上的泄露；过渡层，为砷化镓材料；电极接触层，为砷化镓材料，用来与金属形成上电极。

主权项

本方法的主要目的在于提供一种超晶格波导半导体激光器的结构，包括：一N型GaAs衬底，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一N型GaAs缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，主要用以调节晶格适配度；一N型下限制层，为N‑In1‑xGaxAsyP1‑y材料，该N型下限制层制作在缓冲层上，用来限制光场向下的泄露；一N型下波导层，为N‑In1‑xGaxAsyP1‑y材料，该下波导层制作在下限制层上，用来增加对光场模式的限制；一量子阱层，该量子阱有源区材料为较成熟的InxGa1‑xAs该量子阱为单量子阱，制作在下波导层上；一P型上超晶格波导层，为P‑AlxGa1‑xAs材料，该上超晶格波导层制作在量子阱层上，用于调制波导的折射率，实现光场的最优分布；一P型上波导层，为P‑AlxGa1‑xAs材料，该P型上波导层制作在上超晶格波导层上，用来增加对光场模式的限制；一P型上限制层，为P‑AlxGa1‑xAs材料，该P型上波导层制作在上波导层上，用来限制光场向上的泄露；一过渡层，为P‑GaAs材料，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，为P一GaAs材料，该电极接触层制作在过渡层上，用来与金属形成电极。