[发明专利]一种碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法

摘要

一种碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法，属于微电子工艺技术领域。本发明提供了一种简单、高效的碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法。该方法利用碳纳米管阵列作为散热结构，通过在碳纳米管阵列自由端沉积金属浸润层以及制作焊锡层，再将碳纳米管从生长基板上剥离，形成散热结构体；然后将散热结构体的焊锡层与电子器件上的金属浸润层进行接触加热焊接，实现碳纳米管散热结构与电子器件的集成。本发明能够使一个性能良好的碳纳米管散热结构体直接集成于电子器件上，克服了其他碳纳米管散热结构集成方法中工艺复杂，效率低下的技术问题。

主权项

一种碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法，包括以下步骤：步骤1：沉积金属浸润层；采用溅射或蒸发的方法分别在碳纳米管阵列自由端和电子器件上需要集成散热结构的位置沉积一层1～10微米厚的金属，作为浸润层；步骤2：制作焊锡层；将焊锡条铺于碳纳米管阵列自由端沉积好的金属浸润层上方，在230～300℃下加热1～2分钟，待焊锡熔化并覆盖整个金属浸润层后，冷却至室温，形成焊锡层；步骤3：形成散热结构；固定碳纳米管阵列的生长基板，沿碳纳米管阵列表面焊锡层向上施加拉力，使得碳纳米管阵列与其自身的生长基板分离，形成单独的碳纳米管散热结构；步骤4：集成散热装置；将碳纳米管散热结构的焊锡层与步骤1所得的电子器件上沉积好的金属浸润层相接触，在230～350℃下加热1～2分钟，使得焊锡层与电子器件上的金属浸润层牢固结合；然后冷却至室温，实现碳纳米管散热结构与电子器件的集成。