[发明专利]MRAM存储单元和用于使用具有减小的场电流的热辅助写操作向MRAM存储单元写入的方法

摘要

本公开涉及用于向MRAM存储单元进行写入的方法，该MRAM存储单元包括磁性隧道结，其由具有存储磁化强度的存储层、具有参考磁化强度的参考层以及被包括在感测和存储层之间的隧道阻挡层形成；以及电流线，其被电连接至所述磁性隧道结；所述方法包括使加热电流在磁性隧道结中通过以便将磁性隧道结加热；使场电流通过以便根据场电流的极性沿着被写入方向对存储磁化强度进行切换。加热电流的量值使得其充当自旋极化电流且能够调整存储磁化强度；以及加热电流的极性从而基本上朝着所述被写入方向调整存储磁化强度。

主权项

一种用于使用热辅助写操作向随机存取存储器（MRAM）存储单元进行写入的方法，所述MRAM存储单元包括：磁性隧道结，其包括具有能够在所述磁性隧道结被加热至高温阈值时被调整且在所述磁性隧道结被冷却至低温阈值时固定的存储磁化强度的存储层；参考层，其具有固定参考磁化强度；以及隧道阻挡层，其被包括在参考层和存储层之间；以及电流线，其被电连接至所述磁性隧道结；所述方法包括：使加热电流经由所述电流线在所述磁性隧道结中通过以便将所述磁性隧道结加热；一旦磁性隧道结已经达到高温阈值，则使场电流通过，其生成写磁场，所述写磁场根据所述场电流的极性沿着相对于所述参考磁化强度基本上平行或反平行的被写入方向对所述存储磁化强度进行切换；所述加热电流的量值使得其充当自旋极化电流并在所述存储磁化强度上施加调整自旋转移；以及所述加热电流的极性使得在所述存储磁化强度上施加基本上朝向所述被写入方向的调整自旋转移。