[发明专利]等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201310015601.5 申请日: 2013-01-16
公开(公告)号: CN103219216B 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 田中洁 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇,张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供等离子体处理装置,包括上部电极和下部电极,在对上部电极施加直流电压时不会发生放电。对上部电极(42)与下部电极之间施加高频电力而对被处理体进行等离子体处理,具有接地构件(61),其隔着绝缘构件(60)设置在上部电极的上方;直流电源,其对上部电极施加直流电压;在上部电极的内部设有与设置于该上部电极的下表面的气体供给口(53)相连通的气体扩散室(54、55),在绝缘构件(60)的内部形成有与气体扩散室相连通的气体流通路径(62)。在气体流通路径上以俯视看来不能从该气体流通路径的一端部观察到另一端部的方式设有弯曲部(63),用于使在该气体流通路径内流动的气体向至少具有水平分量的方向流动。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其对设置在处理容器内的上部电极与下部电极之间施加高频电力而使处理气体等离子体化,利用该等离子体对被处理体进行等离子体处理,其特征在于,该等离子体处理装置具有:接地构件,其以绝缘构件介于其与上述上部电极之间的方式设置在上述上部电极的上方;以及直流电源,其用于对上述上部电极施加负的直流电压;在上述上部电极的内部设有与设置在上部电极的下表面的气体供给口相连通的气体扩散室;在上述绝缘构件的内部形成有与上述气体扩散室相连通的气体流通路径;在上述气体流通路径上设有弯曲部,该弯曲部以俯视看来不能从该气体流通路径的一端部观察到另一端部的方式设置,用于使在该气体流通路径内流动的气体向至少具有水平分量的方向流动,通过将妨碍处理气体在上述气体流通路径内直线行进的整流构件设置在该气体流通路径的内部而形成上述气体流通路径的弯曲部,该等离子体处理装置具有用于使上述整流构件在上述气体流通路径的内部移动的驱动机构,以根据情况对上述气体流通路径的压力损失进行调整。
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