[发明专利]低相位噪声压控振荡器有效
申请号: | 201310015875.4 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN103095217A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 樊祥宁;李斌;王加锋;施晓阳;王志功 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H03B5/32 | 分类号: | H03B5/32;H03B5/04 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 汤志武 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种低相位噪声压控振荡器,包括负阻电路模块、差分耦合电感电容谐振腔和源级反馈电感。耦合电感电容谐振腔用以提高谐振腔的有效品质因数,源级反馈电感与谐振腔电感之间的磁耦合作为反馈以增加谐振腔输出信号的振幅,负阻电路模块采用电流复用结构以降低功耗并去除共模节点的二次谐波对相位噪声的恶化。本发明低相位噪声压控振荡器可有效降低相位噪声。 | ||
搜索关键词: | 相位 噪声 压控振荡器 | ||
【主权项】:
一种低相位噪声压控振荡器,其特征是:包括负阻电路模块、差分耦合电感电容谐振腔,其中:负阻电路模块包括PMOS管Mp、NMOS管Mn、两个电感值相等的源级反馈电感Ls1和Ls2;电源VDD串联源级反馈电感Ls1后连接PMOS管Mp的源极,NMOS管Mn的源极串联源级反馈电感Ls2后接地,PMOS管Mp的栅极连接NMOS管Mn的漏极作为输出端Vp,NMOS管Mn的栅极连接PMOS管Mp的漏极作为输出端Vn;差分耦合电感电容谐振腔包括差分电感Ld和差分电感Lc以及两个可变电容Cv;差分电感Ld由电感Ld1与电感Ld2串联组成,且电感Ld1与电感Ld2的电感值相等,电感Ld1与电感Ld2未连接在一起的一端分别与负阻电路模块输出端Vp与输出端Vn连接;差分电感Lc由电感Lc1与电感Lc2串联组成,且电感Lc1与电感Lc2的电感值相等,电感Lc1与电感Lc2对接端与直流偏置电压Vb相连;两个可变电容Cv背靠背对接,对接端与模拟调谐电压Vctrl相连,两个可变电容Cv未连接在一起的一端分别与电感Lc1与电感Lc2未连接在一起的一端连接。
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