[发明专利]一种可变带隙的Fe-B-Si三元半导体非晶薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310016110.2 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103046000A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李晓娜;郑月红;董闯 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 花向阳 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种可变带隙的Fe-B-Si三元半导体非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜材料具有如下通式：Fe3B1Six，x为4.8~18；随着x从4.8增加到18，带隙宽度从0.66eV减小到0.60eV，薄膜结构均为非晶态。该薄膜有如下优点：①增加第三组元B会显著提高薄膜的非晶形成能力，并使薄膜在很大的成分区间内呈现半导体性能，带隙宽度可以在一定范围内变化；②只要改变组合溅射靶中Fe3B1合金片的个数，就能改变薄膜中Si的含量，进而获得不同的带隙宽度；③Fe3B1Six薄膜均为非晶态，能够保证成分和性能均匀，有效回避晶态薄膜制备中的晶格失配以及多相混杂等问题。适宜制造近红外探测器等窄带隙半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可变 fe si 三元 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可变带隙的Fe‑B‑Si三元半导体非晶薄膜，其特征在于：具有如下通式：Fe3B1Six，x为4.8~18；随着x从4.8增加到18，该非晶薄膜材料的带隙宽度从0.66eV减小到0.60eV，薄膜结构始终为非晶态。
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