[发明专利]歪斜的静态随机存取存储器单元有效
| 申请号： | 201310016840.2 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103208305B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | S·A·巴德鲁都扎 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供歪斜的静态随机存取存储器单元。一种存储器单元（205）包括具有相应存储节点（D0、D1）的交叉耦合锁存器且还包括第一和第二写通道门晶体管（WPG0、WPG1）及第一和第二读通道门晶体管（RPG0、RPG1）。写通道门晶体管由写字线（WWL0）控制，读通道门晶体管由读字线（RWL0）控制。每个读和写通道门晶体管耦合在存储节点与位线（BL0）或互补位线（BL0B）之间。写通道门晶体管以第一强度水平（S_2.3）实现且读通道门晶体管以小于第一强度水平的第二强度水平（S_1.7）实现。以这种方式，读和写裕度被独立配置且不负面影响彼此。 | ||
| 搜索关键词： | 歪斜 静态 随机存取存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，包括：交叉耦合锁存器，包括第一存储节点和第二存储节点；第一写通道门晶体管，具有耦合在所述第一存储节点与至少一条位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到写字线的控制端子；第二写通道门晶体管，具有耦合在所述第二存储节点与至少一条互补位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到所述写字线的控制端子；第一读通道门晶体管，具有耦合在所述第一存储节点与所述至少一条位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到读字线的控制端子；第二读通道门晶体管，具有耦合在所述第二存储节点与所述至少一条互补位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到所述读字线的控制端子；且其中，所述第一写通道门晶体管和所述第二写通道门晶体管以第一强度水平实现，且其中所述第一读通道门晶体管和所述第二读通道门晶体管以比所述第一强度水平更小的第二强度水平实现；所述交叉耦合锁存器实现有上拉强度和下拉强度，每个通道门晶体管的强度保持为强于上拉强度并且弱于下拉强度；其中所述强度能够由相应晶体管的驱动电流被测量。
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