[发明专利]扇出晶圆级封装结构在审
| 申请号： | 201310018216.6 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779235A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林俊成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了扇出晶圆级封装结构和用于形成封装结构的方法，该方法可包括将管芯和通孔施加到具有粘合层的载体上方并且在载体上方和通孔周围形成模制衬底，露出通孔和管芯上的安装件的端部。通孔可位于具有分隔通孔的一个或多个介电层的通孔芯片中。通孔芯片可与载体单独地形成。通孔芯片的介电层可将通孔与模制衬底隔开并包括与模制衬底不同的材料。可在模制衬底上形成具有RDL接触焊盘和导线的RDL。具有至少一个管芯的第二结构可安装在模制衬底的相对侧，第二结构上的管芯与至少一个RDL接触焊盘电通信。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出晶圆级 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种用于形成封装结构的方法，包括：在载体上方施加管芯，所述管芯具有多个安装件；在所述载体上提供一个或多个通孔；在所述载体上方和所述通孔周围形成模制衬底；减少所述模制衬底与所述载体相对的第一侧并在所述模制衬底与所述载体相对的第一侧处露出所述一个或多个通孔；在所述模制衬底的第一侧上形成再分布层(RDL)，所述RDL具有多个RDL接触焊盘；以及在所述模制衬底与第一侧相对的第二侧处露出所述一个或多个通孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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