[发明专利]二次电子发射用铍铜合金在审
申请号: | 201310018846.3 | 申请日: | 2013-01-18 |
公开(公告)号: | CN103074514A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 刘楚明;朱戴博;韩坦;陈志永;万迎春;肖宏超 | 申请(专利权)人: | 中南大学;湖南有色金属控股集团有限公司 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00 |
代理公司: | 中南大学专利中心 43200 | 代理人: | 胡燕瑜 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提出一种二次电子发射用铍铜合金材料,其在150~1000V内二次电子发射呈峰状特性(在500~600V达到峰值),合金质量百分成分为:含铍2.7-3.0wt.%,含镍≤0.31wt.%,含铁≤0.058wt.%,含铝≤0.013wt.%,含硅≤0.028wt.%,含铅≤0.0020wt.%,含镉≤0.0020wt.%,含锌≤0.0020wt.%,其它杂质元素之和≤0.43wt.%。本发明在150~1000V内二次电子发射呈峰状特性,在500~600V达到峰值,峰值能到9以上,远远超过目前峰值为5的水平。 | ||
搜索关键词: | 二次电子 发射 铜合金 | ||
【主权项】:
二次电子发射用铍铜合金,其特征在于成分为:含铍:2.7‑3.0wt.%,含镍:≤0.31wt.%,含铁:≤0.058wt.%,含铝:≤0.013wt.%, 含硅:≤0.028wt.%,含铅:≤0.0020wt.%, 含镉:≤0.0020wt.%, 含锌:≤0.0020wt.%,其它杂质元素之和≤0.43wt.%,余量为铜。
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