[发明专利]一种半导体激光器腔面钝化方法及装置无效
| 申请号： | 201310019456.8 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103178440A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王军营 | 申请（专利权）人： | 西安卓铭光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;C23C14/22;C23C14/30 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器腔面钝化方法及装置，包括：将半导体激光器巴条送入真空室，并进行抽真空；往所述真空室中通入预定流量和比例的氢气和氮气混合气；使所述氢气和氮气混合气形成等离子体，以利用所述等离子体对所述半导体激光器巴条的腔面进行离子钝化处理；在离子钝化处理后的所述半导体激光器巴条的腔面上镀设一层阻挡层。通过上述方式，本发明能够解决半导体激光器腔面钝化工艺复杂，钝化效果差等问题，且重复性好，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 钝化 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器的腔面钝化方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将半导体激光器巴条送入真空室，并进行抽真空；往所述真空室中通入预定流量和比例的氢气和氮气混合气；使所述氢气和氮气混合气形成等离子体，以利用所述等离子体对所述半导体激光器巴条的腔面进行离子钝化处理；在离子钝化处理后的所述半导体激光器巴条的腔面上镀设一层阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安卓铭光电科技有限公司，未经西安卓铭光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310019456.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有功率因数校正功能的工频在线式不间断电源
- 下一篇：一种扶正器
