[发明专利]一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法

摘要

一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P+层、P层、N+层、SiNx层和荧光薄膜层。1）将有机玻璃倒入有机溶剂中，静置，使有机玻璃溶解后加入荧光粉，得均匀透明的下转换荧光材料浆料；2）用胶布贴在晶体硅电池的主栅上，将步骤1）得到的下转换荧光材料浆料旋涂在晶体硅电池上，再撕去胶布，在晶体硅电池上得下转换荧光材料薄膜；3）将样品电池烘烤，再放在空气中冷却至室温，即得下转换晶体硅太阳能电池。使用设备少，工艺流程短，无污染，可以有效地提高晶体硅太阳能电池的荧光效率。

主权项

一种下转换晶体硅太阳能电池，其特征在于从下至上依次设有P+层、P层、N+层、SiNx层和荧光薄膜层，在荧光薄膜层上设有电极，所述荧光薄膜层的原料组成为荧光粉和有机玻璃，所述荧光粉与有机玻璃的质量比为1∶10～20，所述荧光粉为单掺的Sr2B2O5:xTb3+、Sr2B2O5:xTb3+，xNa+；或共掺的Sr2B2O5:x Tb3+，xEu3+、Sr2B2O5:xTb3+，xEu3+，xNa+，其中，0.01

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