[发明专利]半导体存储器件及其测试方法有效

专利信息
申请号: 201310019839.5 申请日: 2013-01-18
公开(公告)号: CN103632728B 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 秋新镐 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/08 分类号: G11C29/08
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 俞波,周晓雨
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法,所述半导体存储器件包括写入控制器,所述写入控制器被配置成当在测试模式中执行写入操作时将经由第一焊盘供应的第一输入数据传送到第一全局I/O线和第二全局I/O线。所述半导体存储器件还包括第一写入驱动器,被配置成当在测试模式中执行写入操作时通过第一全局I/O线将第一输入数据储存在第一单元块中。所述半导体存储器件还包括第一I/O线驱动器,被配置成当在测试模式期间执行读取操作时响应于从第一单元块供应的第一输出数据而将信号供应到第一全局I/O线和第一测试I/O线。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 及其 测试 方法
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:写入控制器,所述写入控制器被配置成:当在测试模式期间执行写入操作时,将第一输入数据从第一焊盘传送到第一全局I/O线和第二全局I/O线;第一写入驱动器,所述第一写入驱动器被配置成:当在所述测试模式期间执行所述写入操作时,将所述第一输入数据从所述第一全局I/O线传送到第一单元块,以使所述第一输入数据储存在所述第一单元块中;以及第一I/O线驱动器,所述第一I/O线驱动器被配置成:当在所述测试模式期间执行读取操作时,响应于从所述第一单元块接收第一输出数据而将信号供应到所述第一全局I/O线和第一测试I/O线。
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