[发明专利]一种半导体激光器以及窄带高反射率薄膜有效
| 申请号： | 201310019896.3 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103124045A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 王军营 | 申请（专利权）人： | 西安卓铭光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器以及窄带高反射率薄膜。该半导体激光器的后腔面设置有窄带高反射率薄膜，其中窄带高反射率薄膜的反射光谱在目标波长的长波长方向和短波长方向两侧设置有反射率大于80%的高反射率区域，且所述高反射率区域的宽度小于或等于5nm。通过上述方式，本发明能够抑制半导体激光器的波长变化，能够控制半导体激光器波长变化在5nm范围以内，避免使用复杂的温度控制系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 以及 窄带 反射率 薄膜 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器的后腔面设置有窄带高反射率薄膜，其中所述窄带高反射率薄膜的反射光谱在目标波长的长波长方向和短波长方向两侧设置有反射率大于80%的高反射率区域，且所述高反射率区域的宽度小于或等于5nm。
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