[发明专利]一种半导体激光器

摘要

本发明公开了一种半导体激光器，包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层，所述上波导层和所述下波导层均为铝镓铟磷材料，激射波长在630nm～640nm，且所述上波导层的材料组分为Alx1Gay1In0.49P，所述下波导层的材料组分为Alx2Gay2In0.49P，其中x1>x2，y1

主权项

一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层，所述上波导层和所述下波导层均为铝镓铟磷材料，且所述上波导层的材料组分为Alx1Gay1In0.49P，所述下波导层的材料组分为Alx2Gay2In0.49P，其中x1>x2，y1

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