[发明专利]用于半导体器件的源极/漏极堆叠件压力源有效
| 申请号： | 201310020026.8 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103715258A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吴志强;张广兴;江国诚;苏俊钟;朱熙甯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件。该器件包括衬底，通过第一半导体材料形成的鳍结构，位于鳍的一部分上的栅极区，在衬底上且通过栅极区隔开的源极区和漏极区，以及在源极区和漏极区上的源极/漏极堆叠件。源极/漏极堆叠件的下部通过第二半导体材料形成并且接触栅极区中鳍的下部。源极/漏极堆叠件的上部通过第三半导体材料形成并且接触栅极区中鳍的上部。本发明还提供一种用于半导体器件的源极/漏极堆叠件压力源。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 堆叠 压力 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；鳍，通过具有第一晶格常数的第一半导体材料在所述衬底上形成；栅极区，形成在位于所述衬底上的所述鳍的一部分上；源极区和漏极区，在所述衬底上并通过所述栅极区隔开；源极/漏极堆叠件，具有厚度(T)且位于所述源极区和漏极区上；第二半导体材料，具有第二晶格常数，所述第二半导体材料作为所述源极/漏极堆叠件的底部并且接触所述栅极区中的所述鳍的下部，其中所述第二晶格常数基本上小于所述第一晶格常数；以及第三半导体材料，具有第三晶格常数和厚度(t)，所述第三半导体材料在所述第二半导体材料的顶部上作为所述源极/漏极堆叠件的上部并且接触所述栅极区中的所述鳍的上部，其中所述第三晶格常数大于或者等于所述第一晶格常数。
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