[发明专利]半导体的基板工序、封装方法、封装及系统级封装结构有效
| 申请号： | 201310020318.1 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103219244A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 林殿方 | 申请（专利权）人： | 东琳精密股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/683;H01L21/50;H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 须一平 |
| 地址： | 中国台湾苗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于一半导体封装的基板工序、封装方法、封装结构及系统级封装结构。该封装方法包含下列步骤：提供一金属箔，该金属箔包含一第一表面及一第二表面；分别形成一图案化抗蚀层于该金属箔的该第一表面及该第二表面上；形成至少一连接垫于各该图案化抗蚀层上；压合该金属箔的该第二表面至一载板的一释放层上；刻蚀该金属箔以形成一图案化金属箔；设置至少一半导体元件于该图案化金属箔的该第一表面的该图案化抗蚀层上；电性连接该至少一半导体元件至该第一表面的该至少一连接垫；封装该载板上的一空间；以及移除该载板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工序 封装 方法 系统 结构 | ||
【主权项】：
一种用于一半导体封装的基板工序，该基板工序包含下列步骤：(a)提供一金属箔（Metal Foil），该金属箔包含一第一表面及一第二表面；(b)分别形成一图案化抗蚀层于该第一表面及该第二表面上；(c)分别形成至少一连接垫（Connection Pad）于各该图案化抗蚀层上；以及(d)刻蚀该金属箔以形成一图案化金属箔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
