[发明专利]TSV样品的制备方法在审
| 申请号： | 201310020372.6 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103940643A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 范春燕;韩耀梅;虞勤琴;朱敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TSV样品制备方法，通过将包含TSV结构径向剖面的待处理样品倾斜，使TSV结构径向剖面与所述FIB机台的夹角为钝角，缩短了FIB作用在研磨区域的有效深度，使得研磨深度控制在FIB机台能力范围之内，因而大大减少了拉痕、剥离等样品缺陷，提高了样品分析区域的形貌平整度，同时缩短了制备时间，提高制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TSV样品的制备方法，其特征在于，包括：从晶片上切割出包含TSV结构径向剖面的待处理样品；将待处理样品载入FIB机台，且TSV结构径向剖面朝上并与FIB机台平行；利用FIB在TSV结构径向剖面上做标记以确定TSV结构的位置；倾斜所述待处理样品，使TSV结构径向剖面与所述FIB机台的夹角为钝角；根据所述标记进行待处理样品的分析区域聚焦，并采用FIB研磨所述待处理样品的分析区域，以形成TSV样品。
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