[发明专利]一种雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统有效
| 申请号： | 201310021677.9 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103091568A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 赵彦立;李奕键;涂俊杰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01R29/26 | 分类号： | G01R29/26 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode，APD）过剩噪声因子测量系统，涉及半导体光电子器件的测试技术领域。本系统包括：光源、光耦合组件以及检测单元；所述检测单元包括：芯片测试工装夹具、偏置器、数字源表、放大器、噪声功率测试设备；光源通过光耦合组件照射在待测APD样品上，样品APD通过测试探针夹具与偏置器相连，数字源表与偏置器直流端口相连，偏置器交流端口连接放大器输入端，噪声功率测试设备连接放大器输出端。本发明通过同步测量APD噪声功率以及增益，实时，快速，精确的得出APD的过剩噪声因子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 光电二极管 过剩 噪声 因子 测量 系统 | ||
【主权项】：
一种雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于，包括：光源，光耦合组件以及检测单元；所述检测单元包括：芯片测试工装夹具，偏置器，数字源表以及噪声功率测试设备；所述光源通过所述光耦合组件照射在待测雪崩光电二极管样品上，样品雪崩光电二极管通过所述芯片测试工装夹具与所述偏置器相连，所述数字源表与所述偏置器的直流端口相连，所述偏置器交流端口连接所述放大器输入端，所述噪声功率测试设备连接所述放大器输出端。
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