[发明专利]场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310021899.0 | 申请日： | 2006-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094348A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 哈姆扎·耶尔马兹;丹尼尔·卡拉菲特;史蒂文·P·萨普;内森·克拉夫特;阿肖克·沙拉 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管。一种场效应晶体管包括：多个沟槽，延伸进第一导电类型的半导体区，所述多个沟槽包括多个栅化沟槽和多个未栅化沟槽；多个第二类型的体区域，每个所述多个第二类型的体区域设置在所述多个沟槽中各对相邻沟槽之间的所述半导体区中；绝缘材料，填充所述多个栅化沟槽和所述多个未栅化沟槽中的每个的底部；多个栅电极，每个所述栅电极设置在所述多个沟槽中的一个相应栅化沟槽中；以及所述第二导电类型的导电材料，设置在所述多个未栅化沟槽中的每个中，以便所述导电材料沿所述未栅化沟槽的侧壁接触与每个未栅化沟槽邻接的相应的体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管(FET)，包括：多个沟槽，延伸进第一导电类型的半导体区，所述多个沟槽包括多个栅化沟槽和多个未栅化沟槽；多个第二类型的体区域，每个所述多个第二类型的体区域设置在所述多个沟槽中各对相邻沟槽之间的所述半导体区中；绝缘材料，填充所述多个栅化沟槽和所述多个未栅化沟槽中的每个的底部；多个栅电极，每个所述栅电极设置在所述多个沟槽中的一个相应栅化沟槽中；以及所述第二导电类型的导电材料，设置在所述多个未栅化沟槽中的每个中，以便所述导电材料沿所述未栅化沟槽的侧壁接触与每个未栅化沟槽邻接的相应的体区域。
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