[发明专利]半导体封装构造及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体封装构造及其制造方法，所述半导体封装构造包含一半导体基板、一倒装晶片、一挡止区域及一底部填充胶，所述挡止区域位在所述半导体基板上，且包含数个第一挡止凸柱，排列在所述倒装晶片周边，通过所述第一挡止凸柱围绕在所述倒装晶片周边并且间隔排列，不仅使底部填充胶有较佳的溢出高度与外溢距离的相应关系，而且电镀金属凸柱不受空间的限制，较容易应用在晶片堆迭封装构造的制造过程中。

主权项

一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含︰一半导体基板，包含数个导电穿孔；一倒装晶片，设置在所述半导体基板上且电性连接所述导电穿孔；一挡止区域，位在所述半导体基板上，且包含数个第一挡止凸柱，所述第一挡止凸柱排列在所述倒装晶片周边，且与所述倒装晶片间隔一第一距离，以形成一第一溢胶空间；及一底部填充胶，设置在所述半导体基板与所述倒装晶片之间，其中部分所述底部填充胶位于所述挡止区域内。