[发明专利]氧化锆电阻存储器薄膜制备方法及其阻变特性的测试方法有效
| 申请号： | 201310022402.7 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103094477A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李颖;赵高扬;金龙 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G01R27/08;G01R31/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锆电阻存储器薄膜制备方法，首先以氧化锆溶胶为前驱液，以铝酸镧单晶基片的钇钡铜氧超导薄膜为基板提拉氧化锆薄膜，然后采用浸渍提拉法在超导电极上制得氧化锆凝胶薄膜，再将其进行退火处理后自然冷却，最后对其进行顶电极的溅射，即得到氧化锆电阻存储器薄膜；本发明还公开了采用上述制备方法制备的氧化锆电阻存储器薄膜阻变特性的测试方法，将氧化锆电阻存储器薄膜采用四根引线法进行连接，用金属铟将引线与测试点进行连接，然后将其固定在样品台上后放入材料综合物性测量仪中进行伏安特性曲线测试。本发明氧化锆电阻存储器薄膜制备方法工艺简单、设备低廉、成本低，其阻变特性的测试方式环保、成本低，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锆 电阻 存储器 薄膜 制备 方法 及其 特性 测试 | ||
【主权项】：
氧化锆电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于：首先以氧化锆溶胶为前驱液，以铝酸镧单晶基片的钇钡铜氧超导薄膜为基板提拉氧化锆薄膜，然后采用浸渍提拉法在超导电极上制得氧化锆凝胶薄膜，再将其进行退火处理后自然冷却，最后对其进行顶电极的溅射，即得到氧化锆电阻存储器薄膜。
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