[发明专利]对浅沟槽隔离区减少损害的半导体装置制造方法无效
| 申请号： | 201310022757.6 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103219276A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | H-J·瑟斯;B·巴哈 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供对浅沟槽隔离区减少损害的半导体装置制造方法。在一具体实施例中，一种在半导体基板上制造半导体装置的方法包含选择性植入掺质离子以在该半导体基板中形成数个植入区。在半导体基板中形成数个沟槽以及用隔离材料填充该等沟槽。建立与半导体基板实质共面的隔离材料的上表面。然后，此方法同时退火植入区与隔离材料。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 减少 损害 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体基板上制造半导体装置的方法，该方法包括：选择性植入掺质离子以在该半导体基板中形成数个植入区；在该半导体基板中形成数个沟槽；以隔离材料填充该等沟槽；建立与该半导体基板实质共面的该隔离材料的上表面；以及同时退火该等植入区及该隔离材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
