[发明专利]真空成膜装置无效
申请号: | 201310022844.1 | 申请日: | 2013-01-22 |
公开(公告)号: | CN103225073A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 大森美纪;清田哲司;立野勇一;久保昌司 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种真空成膜装置,其不会损害能在基板的成膜面整面有效吸附原料气体的功能,并且能够防止装置自身设置面积大型化,其具有在真空室1内保持基板的台架(2),向该基板(W)交替供给气体的气体供给装置(3),以及排出真空室内的气体的排气装置(7);以台架保持的所述基板的成膜面侧为上,气体供给装置具有至少一个喷嘴(31),所述喷嘴(31)配置在台架的一侧并从基板的一侧向另一侧沿该基板上面喷射所述气体的任意一种;排气装置具有开在真空室的下壁位于台架的另一侧的排气口(71),设置在该真空室的下方并与排气口连通的排气室(73),以及与排气室相连并将该排气室内抽真空的真空泵(75)。 | ||
搜索关键词: | 真空 装置 | ||
【主权项】:
一种真空成膜装置,其向配置在真空室内作为成膜对象的基板交替提供两种以上的原料气体,通过化学反应形成规定的薄膜,其特征在于:具有在真空室内保持基板的台架,向该基板交替供给气体的气体供给装置,以及排出真空室内的气体的排气装置;以在所述台架保持的所述基板的基板成膜面侧为上,所述气体供给装置具有至少一个喷嘴,所述喷嘴配置在台架的一侧并从基板的一侧向另一侧沿该基板上面喷射所述气体中的任意一种;所述排气装置具有开在真空室的下壁位于所述台架的另一侧的排气口,设置在该真空室的下方并与排气口连通的排气室,以及与排气室相连并将该排气室内抽真空的真空泵。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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