[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310023826.5 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943492A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3115 | 分类号： | H01L21/3115;H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、高K介电层；在含氧气氛中进行室温固化，以使氧扩散至所述高K介电层中，抑制氧空位的形成，降低漏电，改善与时间相关电介质击穿；在所述高K介电层上形成金属栅极。在本发明中在制备含金属栅极的半导体器件的过程中，在形成所述高K介电层之后，形成所述覆盖层之前，将所述器件置于氧气气氛中进行常温固化，通过该操作步骤使所述氧扩散至所述界面层和所述高K介电层，抑制氧空位的形成，在不增加所述有效栅极介电层厚度的情况下，来降低漏电、改善与时间相关电介质击穿，进一步提高器件的性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、高K介电层；在含氧气氛中进行室温固化，以使氧扩散至所述高K介电层中，抑制氧空位的形成，降低漏电，改善与时间相关电介质击穿；在所述高K介电层上形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
