[发明专利]半导体集成电路以及内部电压产生方法

摘要

一种半导体集成电路包括具有PMOS电晶体和第一比较器的第一内部电压产生器、具有NMOS电晶体和第二比较器的第二内部电压产生器以及提供一泵浦功率电压给第二比较器的电压泵浦产生器。功率控制电路可切换地于启动半导体集成电路时致能第一内部电压产生器的输出，以及于启动半导体集成电路后致能第二内部电压产生器的输出。本发明提供的一种半导体集成电路以及内部电压产生方法，通过降低工作供应电压能够使功率消耗降低。

主权项

1.一种半导体集成电路，其特征是，所述半导体集成电路包括：一第一内部电压产生器，包括一PMOS晶体管和一第一比较器，所述PMOS晶体管接收一第一电压并输出一第一电压产生器输出，所述PMOS晶体管的栅极耦接并接收所述第一比较器的输出端的一第一驱动电压；一第二内部电压产生器，包括一NMOS晶体管、一第二比较器以及提供所述第二比较器一泵浦功率电压的一电压泵浦产生器，所述NMOS晶体管接收一第二电压并输出一第二电压产生器输出，所述第二比较器通过比较一参考电压与所述第一电压产生器输出以及所述第二电压产生器输出之一者输出一第二驱动电压，所述NMOS晶体管的栅极耦接并接收所述第二比较器的输出端的所述第二驱动电压；以及一功率控制电路可切换地当半导体集成电路启动时，致能所述第一内部电压产生器输出所述第一电压产生器输出，或者当半导体集成电路启动后，致能所述第二内部电压产生器输出所述第二电压产生器输出；其中，所述功率控制电路根据所述泵浦功率电压的一电压位准以及一内部电压的电压位准提供一启动输出，并通过一反相器可切换地致能所述第一电压产生器输出或所述第二电压产生器输出，以及通过所述第一电压产生器输出和所述第二电压产生器输出产生所述内部电压。