[发明专利]MOSFET的BTO结构制造工艺方法

摘要

本发明公开了一种MOSFET的BTO结构制造工艺方法，包括：步骤1、在N型外延层上沉积一层ONO结构的硬掩膜板，并用干法刻蚀将硬掩膜板开口；步骤2、进行沟槽刻蚀，并在沟槽表面生长一层热氧化层，再在硅片表面整体沉积一层氮化硅层；步骤3、在所述沟槽中开始沉积多晶硅，接着做对晶硅采用回刻工艺，使所述沟槽底部的多晶硅的厚度为所需要的厚度；步骤4、对所述沟槽底部的多晶硅进行氧化，使其转变为氧化物；步骤5、用湿法刻蚀方式去掉所述氮化硅层，硬掩膜板及沟道中裸露在外的所述热氧化层与氮化硅的结合层，接着在沟槽中热生长栅氧化层，形成多晶硅栅；步骤6、按照MOSFET后续工艺流程，最终形成MOSFET结构。本发明能避免了使用HDP Oxide的方式引起的工艺控制的难点。

主权项

一种MOSFET的BTO结构制造工艺方法，其特征在于，包括：步骤1、在N型外延层上沉积一层氧化硅‑氮化硅‑氧化硅结构的硬掩膜板，并用干法刻蚀将硬掩膜板开口；步骤2、在所述硬掩膜板开口位置进行沟槽刻蚀，并在沟槽表面生长一层热氧化层，再在硅片表面整体沉积一层氮化硅层，即在沟槽表面形成一层热氧化层与氮化硅的结合层；步骤3、在所述沟槽中开始沉积多晶硅，接着做对晶硅采用同刻工艺，使所述沟槽底部的多晶硅的厚度为1000‑3000埃；步骤4、对所述沟槽底部的多晶硅进行氧化，使其全部转变为氧化物；步骤5、所述多晶硅氧化做完之后，用湿法刻蚀方式去掉所述氮化硅层、所述硬掩膜板及沟道中裸露在外的所述热氧化层与氮化硅的结合层，接着在沟槽中热生长栅氧化层，完成之后再沟槽中沉积多晶硅，并进行多晶硅回刻及退火工艺，形成多晶硅栅。