[发明专利]一种高能量脉冲式磁控溅射方法及磁控溅射装置无效
| 申请号： | 201310024628.0 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103938166A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 卢伟贤;谢贯尧;张忠祥;易敏龙;刘耀鸿 | 申请（专利权）人： | 香港生产力促进局;香港表面处理学会有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 武君 |
| 地址： | 中国香港九龙*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高能量脉冲式磁控溅射方法及磁控溅射装置，该磁控溅射方法包括：将样品清洗置入真空腔中，对真空腔抽真空；通入氩气对样品进行等离子体清洗；通入氩气作为溅射气体，在样品的表面进行直流溅射或者脉冲溅射，形成过渡层；通入反应气体，在过渡层的表面进行脉冲溅射，形成涂层；关闭溅射阴极及电源，停止通入的反应气体，取出表面溅射有涂层的样品。本发明相比传统磁控溅射技术，参与反应的气体和靶材粒子离化率大大提高，从而成膜的密度、均匀度等特性都大大改善，并消除了制造厚涂层过程的热效应，减少成膜的内部应力。本发明相比传统通过调节气流量的方法调节颜色，调节脉冲波形的方法更为精准、范围更大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高能量 脉冲 磁控溅射 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种高能量脉冲式磁控溅射方法，其特征在于，包括以下几个步骤：步骤一：将样品清洗置入真空腔中，安装阴极靶材，对真空腔进行抽真空；步骤二：通入氩气对样品进行等离子体清洗；步骤三：通入氩气作为溅射气体，在样品的表面进行直流溅射或脉冲溅射，形成过渡层；步骤四：通入反应气体，在过渡层表面进行脉冲溅射，形成涂层；步骤五：关闭溅射阴极及电源，停止通入的反应气体，取出表面溅射有涂层的样品。
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