[发明专利]平板式PECVD装置

摘要

本发明实施例公开了一种平板式PECVD装置，包括：用于容置工件的真空腔体和设于真空腔体上方的等离子发射器，等离子发射器包括与真空腔体固定的发射盒、设于发射盒上方的射频阻抗匹配器，发射盒的下方联接有介质窗，发射盒的上方固定设有与射频阻抗匹配器联接的天线体，天线体包括置于发射盒内的天线及用于联接天线与射频阻抗匹配器的连接端头；射频阻抗匹配器外接有射频电源；真空腔体上固设有工艺气体进气管，真空腔体上方设有与发射盒对应的安装槽。本发明具有稳定、安全、能量适中的射频电源，使等离子体受控的铜天线，独特的工艺气体进气方式，能够沉积出具有均匀、致密、无污染等优良性能的氮化硅薄膜之类的工件。

主权项

一种平板式PECVD装置，包括用于容置工件的真空腔体和设于真空腔体上方的等离子发射器，其特征在于：所述等离子发射器包括与所述真空腔体固定的发射盒以及设于发射盒上方的射频阻抗匹配器；所述发射盒的下方联接有介质窗，发射盒的上方固定设有与射频阻抗匹配器联接的天线体；所述天线体包括置于发射盒内的天线及用于联接天线与射频阻抗匹配器的连接端头；所述射频阻抗匹配器外接有射频电源；所述真空腔体上固设有工艺气体进气管，所述真空腔体上方设有与发射盒对应的安装槽。