[发明专利]一种SiBON透波材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310026180.6 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103121847B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 唐潮;房明浩;黄朝晖;刘艳改;吴小文;闵鑫 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学(北京) |
| 主分类号： | C04B35/597 | 分类号： | C04B35/597;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiBON透波材料的制备方法，属于航空材料技术领域。其特征是以正硅酸乙酯、硼酸、金属硅粉为原料，采用金属硅粉还原制备SiBON粉体材料，再利用制得的粉体制备SiBON陶瓷材料，实现了介电性能优异、力学性能稳定的透波材料，为天线罩材料的更新换代，为航天航空事业的发展提供有力支持。对今后研究SiBON材料的性能有借鉴意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sibon 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiBON材料的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤1)以正硅酸乙酯、硼酸、金属硅粉为原料，将硼酸溶于去离子水中形成硼酸溶液，将正硅酸乙酯缓慢滴加至硼酸溶液中，使用十二烷基笨磺酸钠做表面活性剂，水浴环境下进行搅拌，静置成胶；步骤2)将凝胶置于120℃恒温干燥箱中干燥，干凝胶磨细后与金属硅粉进行配料、球磨、干压成型工艺制备坯体，在N2气氛下1100℃‑1500℃煅烧，保温2h–6h，自然冷却后取出，研磨并过200目筛获得SiBON粉体材料；步骤3)将粉体干压成型，制得坯体放入N2气氛保护的气氛炉中，升温速度为5℃/min，在1400℃‑1700℃下保温1h‑10h后自然冷却至室温即可获得SiBON材料。
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