[发明专利]内存供电电路无效

专利信息
申请号: 201310026488.0 申请日: 2013-01-24
公开(公告)号: CN103970245A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 赖超荣 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G06F1/26 分类号: G06F1/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种内存供电电路,包括PWM控制器、第一及第二场效应管、第一至第三电阻、第一及第二电感及电子开关。上述内存供电电路可根据需要调节输出至内存的电压值为第一输出电压或者第二输出电压。
搜索关键词: 内存 供电 电路
【主权项】:
一种内存供电电路,包括PWM控制器、第一及第二场效应管、第一至第三电阻、第一及第二电感及电子开关,所述PWM控制器的电源引脚与电压源相连,高门槛引脚与第一场效应管的栅极相连,低门槛引脚与第二场效应管的栅极相连,相位引脚与第一场效应管的源极及第二场效应管的漏极相连,所述第一场效应管的漏极通过第一电感与电压源相连,所述第二场效应管的漏极与第一场效应管的源极之间的节点还依序通过第二电感及第一电阻与PWM控制器的反相输入引脚相连,所述PWM控制器的反相输入引脚还直接通过第二电阻接地以及通过第三电阻与电子开关的第一端相连,所述电子开关的第二端接地,控制端与主板上的通用输入输出引脚相连,所述第二电感与第一电阻之间的节点用于输出第一电压或第二电压至内存以为内存提供工作电压,其中所述第一至第三电阻的电阻值与第一及第二电压满足以下公式:Vout1=0.8*(1+r1/(r3/(r2+r3))、Vout2=0.8*(1+r1/r2),其中Vout1及Vout2分别表示第一及第二电压,r1表示第一电阻的电阻值,r2表示第二电阻的电阻值,r3表示第三电阻的电阻值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司,未经鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310026488.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top