[发明专利]电压调节器有效
| 申请号： | 201310026597.2 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103219947B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 井村多加志 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 何欣亭,朱海煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的电压调节器具备将基准电压与对输出晶体管输出的电压进行分压的分压电压之差放大并输出，控制输出晶体管的栅极的第一级放大器及级联型放大电路，其中，第一级放大器具备作为输入晶体管的第一高耐压NMOS晶体管以及作为尾电流源的NMOS晶体管，并且级联型放大电路由作为级联晶体管的第二高耐压NMOS晶体管构成。从而提供能够改善偏移的影响并获得正确的输出电压的电压调节器。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 调节器 | ||
【主权项】：
一种电压调节器，其特征在于，具备：第一级放大器，将基准电压与对输出晶体管输出的输出电压进行分压的分压电压之差放大并输出；以及作为第二级放大器的级联型放大电路，具有输入所述第一级放大器的输出电压的PMOS晶体管和与所述PMOS晶体管串联连接的级联晶体管，该级联晶体管的漏极控制所述输出晶体管的栅极，并且栅极被输入所述基准电压，其中，所述第一级放大器的输入晶体管是高耐压NMOS晶体管，所述级联型放大电路的所述级联晶体管是高耐压NMOS晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工半导体有限公司，未经精工半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310026597.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：糟液烘干机废热气回收装置
- 下一篇：一种治疗甲亢病的中药制剂
