[发明专利]功率晶体管无效
申请号: | 201310026787.4 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN103219338A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | H.罗特莱特纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L27/07 | 分类号: | H01L27/07;H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;刘春元 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 本发明涉及功率晶体管。一种单元场具有边缘和中心,各个器件单元被并联连接。第一类型的器件单元具有带有第一尺寸的本体区域和在本体区域中实现的、带有第二尺寸的源极区域,并且第二类型的器件单元具有第一尺寸的并且其中省略了源极区域或者源极区域小于第二尺寸的本体区域。该单元场包括非交迭单元区域,每一个非交迭单元区域包括相同多个的器件单元。至少一个单元区域序列被布置在单元场的边缘和中心之间,其中第二类型的器件单元的频率沿着中心的方向从单元区域到单元区域单调地增加,并且该单元区域序列中的一个单元区域包括或者邻接该中心。 | ||
搜索关键词: | 功率 晶体管 | ||
【主权项】:
一种晶体管器件,包括:被布置在具有边缘和中心的单元场中的多个器件单元,各个器件单元被并联连接;所述器件单元包括第一类型的器件单元并且包括第二类型的器件单元,所述第一类型的器件单元具有带有第一尺寸的本体区域和在所述本体区域中实现的、带有第二尺寸的源极区域,所述第二类型的器件单元具有第一尺寸的并且其中省略了源极区域或者其中源极区域小于所述第二尺寸的本体区域;所述单元场包括多个非交迭单元区域,每一个所述非交迭单元区域包括相同多个器件单元,其中存在被布置在所述单元场的所述边缘和所述中心之间的至少一个单元区域序列,在所述至少一个单元区域序列中,所述第二类型的器件单元的频率沿着所述中心的方向从单元区域到单元区域单调地增加,并且其中所述单元区域序列中的一个单元区域包括或者邻接所述中心。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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