[发明专利]低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法有效
| 申请号： | 201310026814.8 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103094417A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 任现坤;李秉霖;姜言森;张春艳;程亮;贾河顺;徐振华 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法。它具体有如下步骤：1）将制绒后的硅片表面制作发射极；2）将步骤1所得硅片进行周边刻蚀、磷硅玻璃去除；3）将步骤2所得硅片进行高温退火；4）将步骤3所得硅片再依次采用沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。本发明可以有效的提高扩散方阻的均匀性，高温退火减少了硅片中的微缺陷和杂质离子，提高了少数载流子寿命，可使短路电流密度提高0.1-1mA/cm2，开路电压提高3-10mV，转化效率提高0.1-0.5%。 | ||
| 搜索关键词： | 高低 掺杂 浓度 发射极 结构 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法，步骤包括：1）将制绒后的硅片表面制作结深为0.1‑0.3微米的发射极，方阻为50‑90ohm/sq；2）将步骤1所得硅片进行周边刻蚀、磷硅玻璃去除；3）将步骤2所得硅片进行高温退火；4）将步骤3所得硅片再依次采用沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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