[发明专利]用于导电柱的系统和方法无效
| 申请号： | 201310028212.6 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103224217A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | M.埃斯克里奇;J.C.米尔恩 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;刘春元 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于导电柱的系统和方法。在一个实施例中，系统包括电板和封装管芯，所述电板包括电气器件，所述封装管芯接合至所述电板。所述封装管芯包括：衬底层，所述衬底层包括凹陷区；导电迹线，其中，所述导电迹线的一部分是在所述凹陷区中形成的；以及外延器件层，接合至所述衬底层。器件层包括：MEMS器件，以及外延导电柱，其中，所述外延导电柱的第一侧电连接至所述导电迹线，并且所述外延导电柱的第二侧电连接至所述电板，其中，所述外延导电柱延伸通过所述外延器件层，以将所述导电迹线电耦合至所述外延器件层上的分界面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 导电 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种设备，所述设备包括：衬底层（102），在其上的表面上具有至少一个导电迹线（104）；以及外延器件层（106），具有第一侧和相对的第二侧，所述外延器件层（106）的第一侧接合至所述衬底层（102），所述器件层（106）包括：至少一个微机电系统（MEMS）器件（110）；以及至少一个外延导电柱（108），其中，所述至少一个外延导电柱（108）延伸通过所述外延器件层（106），以将所述至少一个导电迹线（104）电耦合至所述外延器件层（106）的第二侧上的分界面。
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